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韓國(guó)帕克原子力顯微鏡systems NX-Wafer介紹
點(diǎn)擊次數(shù):1302 更新時(shí)間:2023-04-21

韓國(guó)帕克原子力顯微鏡systems NX-Wafer概述

Park Systems推出業(yè)內(nèi)噪聲樶低的全自動(dòng)化工業(yè)級(jí)原子力顯微鏡——XE-Wafer。該自動(dòng)化原子力顯微鏡系統(tǒng)旨在為全天候生產(chǎn)線上的亞米級(jí)晶體(尺寸200 mm和300 mm)提供線上高分辨率表面粗糙度、溝槽寬度、深度和角度測(cè)量。借助True Non-Contact™模式,即便是在結(jié)構(gòu)柔軟的樣品,例如光刻膠溝槽表面,XE-Wafer可以實(shí)現(xiàn)無(wú)損測(cè)量。

現(xiàn)有問(wèn)題

目前,硬盤(pán)和半導(dǎo)體業(yè)的工藝工程師使用成本高昂的聚焦離子束(FIB)/掃瞄式電子顯微鏡(SEM)獲取納米級(jí)的表面粗糙度、側(cè)壁角度和高度。不幸的是,F(xiàn)IB/SEM會(huì)破壞樣品,且速度慢,成本高昂。

解決方案

NX-Wafer原子力顯微鏡實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化的在線200 mm & 300 mm晶體表面粗糙度、深度和角度測(cè)量,且速度快、精度高、成本低。

益處

NX-Wafer讓無(wú)損線上成像成為可能,并實(shí)現(xiàn)多位置的直接可重復(fù)高分辨率測(cè)量。更高的精確度和線寬粗糙度監(jiān)控能力讓工藝工程師得以制造性能更高的儀器,且成本顯著低于FIB/SEM。

串?dāng)_消除實(shí)現(xiàn)無(wú)偽影測(cè)量

 · 解耦XY軸掃描系統(tǒng)提供平滑的掃描平臺(tái)

· 平滑的線性XY軸掃描將偽影從背景曲率中消除

· 精確的特征特亮和儀表統(tǒng)計(jì)功能

CD(臨界尺寸)測(cè)量

出眾的精確且精密納米測(cè)量在提高效率的同時(shí),也為重復(fù)性與再現(xiàn)性研究帶來(lái)最高的分辨率和樶低的儀表西格瑪值。

* 精密的納米測(cè)量

媒介和基體亞納米粗糙度測(cè)量

憑借行業(yè)樶低的噪聲和創(chuàng)新的True Non-ContactTM模式,XE-Wafer在最平滑的媒介和基體樣品上實(shí)現(xiàn)樶精確的粗糙度測(cè)量。

精確的角度測(cè)量

Z軸掃描正交性的高精度校正讓角度測(cè)量時(shí)精確度小于0.1度。

溝槽測(cè)量

True Non-Contact模式能夠線上無(wú)損測(cè)量小至45 nm的腐蝕細(xì)節(jié)。

精確的硅通孔化學(xué)機(jī)械研磨輪廓測(cè)量

借助低系統(tǒng)噪聲和平滑輪廓掃描功能,Park Systems實(shí)現(xiàn)了前所WEI有的硅通孔化學(xué)機(jī)械研磨(TSV CMP)輪廓測(cè)量。

韓國(guó)帕克原子力顯微鏡systems NX-Wafer特點(diǎn)

 全自動(dòng)圖形識(shí)別

借助強(qiáng)大的高分辨率數(shù)字CCD鏡頭和圖形識(shí)別軟件,Park NX-Wafer讓全自動(dòng)圖形識(shí)別和對(duì)準(zhǔn)成為可能。

★ 自動(dòng)測(cè)量控制

自動(dòng)化軟件讓NX-Wafer的操作不費(fèi)吹灰之力。測(cè)量程序針對(duì)懸臂調(diào)諧、掃描速率、增益和點(diǎn)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,為您提供多位置分析。

★ 真正非接觸模式和更長(zhǎng)的探針使用壽命

得益于專li的高強(qiáng)度Z軸掃描系統(tǒng),XE系列原子力顯微鏡讓真正非接觸模式成為可能。真正非接觸模式借助了原子間的相互吸引力,而非相互排斥力。

因此,在真正非接觸模式下,探針與樣品間的距離可以保持在幾納米,從而蓋上原子力顯微鏡的圖像質(zhì)量,保證探針尖duan的鋒利度,延長(zhǎng)使用壽命。

★ 解耦的柔性XY軸與Z軸掃描器

Z軸掃描器與XY軸掃描器完quan解耦。XY軸掃描器在水平面移動(dòng)樣品,而Z軸掃描器則在垂直方向移動(dòng)探針。該設(shè)置可實(shí)現(xiàn)平滑的XY軸測(cè)量,讓平面外移動(dòng)降到樶低。此外,XY軸掃描的正交性和線性也極為出色。

為了檢測(cè)最小的樣品特征和成像最平的表面,Park推出行業(yè)本底噪聲樶低(< 0.5?)的顯微鏡。本底噪聲是在“零掃描"情況下確定的。當(dāng)懸臂與樣品表面接觸時(shí),在如下情況下測(cè)量系統(tǒng)噪聲:

·0 nm x 0 nm掃描范圍,停在一個(gè)點(diǎn)

·0.5增益,接觸模式

·256 x 256像素